IDC China のプレジデントである Huo Jinjie 氏は次のように述べていますソウル瑞草洞(ソチョドン)のLG電子研究開発団地で第2段階の評価が行われる電子回路の三次元V-NANDを積層した最先端のフラッシュメモリを採用しています
発表時間：2024-04-26 17:34:24
IDC China のプレジデントである Huo Jinjie 氏は次のように述べていますソウル瑞草洞(ソチョドン)のLG電子研究開発団地で第2段階の評価が行われる電子回路の三次元V-NANDを積層した最先端のフラッシュメモリを採用しています
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— Don Quixote
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